اس اس دی اینترنال MSI SPATIUM M461 NVMe PCIe Gen4 x4 ظرفیت 2 ترابایت
اس اس دی اینترنال MSI SPATIUM M461 ظرفیت 2 ترابایت قیمت اصلی: 69,000,000 تومان بود.قیمت فعلی: 64,000,000 تومان.
بازگشت به محصولات

اس اس دی اینترنال سامسونگ 990 EVO ظرفیت 2 ترابایت

شناسه محصول: SAM-990EVO-2TB

قیمت اصلی: 88,000,000 تومان بود.قیمت فعلی: 85,000,000 تومان.

1 در انبار

1 در انبار

torobpay
امکان قسط‌بندی برحسب اعتبار ترب‌پی
۴ قسط ماهانه. بدون سود، چک و ضامن.
0 نفر در حال مشاهده این محصول هستند!

جهت استعلام قیمت نهایی با کارشناسان ما در ارتباط باشید .88807610-021 - 09009255401

  • خرید حضوری از همراه سیستم طلایه

با هماهنگی قبلی جهت اسمبل کالا و تحویل در همان روز

  • حمل و نقل به شهرستان

ارسال اکسپرس با پست، تیپاکس یا باربری به آدرس شما

مدت زمان دریافت کالا بین 2 تا 5 روز کاری

  • ارسال ویژه مناطق 22 گانه شهر تهران

ارسال با پیک درب محل (مخصوص شهر تهران)

مدت زمان دریافت کالا یک روز کاری

  • گارانتی رسمی همراه سیستم طلایه (HST)
  • پنج سال خدمات پس از فروش

توضیحات

مشخصات محصول اس اس دی اینترنال سامسونگ 990 EVO ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال اس اس دی اینترنال سامسونگ 990 EVO ظرفیت 2 ترابایت یک حافظه پرسرعت و با کارایی بالا برای ارتقای عملکرد سیستم‌های دسکتاپ و لپ‌تاپ است. این حافظه با بهره‌گیری از رابط PCIe Gen4 x4 و استاندارد NVMe 2.0 سرعت انتقال داده‌ها را بسیار افزایش می‌دهد و زمان بوت سیستم، اجرای نرم‌افزارها و جابجایی فایل‌های حجیم را به شکل محسوسی کاهش می‌دهد.

استفاده از حافظه Samsung V‑NAND TLC و طراحی بدون قطعات متحرک باعث افزایش دوام، پایداری و مصرف انرژی بهینه می‌شود. همچنین فرم‌فاکتور M.2 2280 این SSD را با اکثر مادربردها و لپ‌تاپ‌های مدرن سازگار می‌کند.

سامسونگ 990 EVO انتخابی عالی برای کاربرانی است که به دنبال سرعت بالا برای گیمینگ، کارهای حرفه‌ای، و انتقال سریع فایل‌ها هستند.


مشخصات فنی اس اس دی اینترنال Samsung 990 EVO NVMe M.2 2280 – ظرفیت 2 ترابایت

برند: Samsung
مدل: 990 EVO
نوع حافظه: SSD اینترنال
ظرفیت ذخیره‌سازی: 2 ترابایت
فرم‌فاکتور: M.2 2280
رابط اتصال: PCIe Gen4 x4 / PCIe Gen5 x2
پروتکل: NVMe 2.0

سرعت خواندن ترتیبی: تا 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن ترتیبی: تا 4200 مگابایت بر ثانیه

نوع حافظه NAND: Samsung V‑NAND TLC
نوع طراحی: بدون قطعات متحرک
حافظه کش: HMB (Host Memory Buffer)

حداکثر IOPS خواندن تصادفی: حدود 700,000
حداکثر IOPS نوشتن تصادفی: حدود 800,000

ابعاد: حدود 80 × 22 × 2.38 میلی‌متر
وزن: حدود 9 گرم

دمای کاری: 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پشتیبانی TRIM و S.M.A.R.T: دارد
استاندارد رمزنگاری: پشتیبانی AES 256‑bit
میانگین عمر مفید (MTBF): حدود 1,500,000 ساعت
حداکثر حجم نوشتن (TBW): حدود 1200 ترابایت

ویژگی های محصول

نقد و بررسی مشتریان